1樓：FATRI
磁阻（MR）效應是當外磁場發生改變時，材料的電阻發生改變的效應。2023年各向異性磁電阻（AMR）效應首次被發現，之後的數十年中，不同型別的MR效應被相繼發現。
1、正常磁電阻：正常磁電阻效應存在於許多磁性材料中，電阻的增量值近似於正比B平方，B為磁感應強度。
2、各向異性磁電阻（AMR）：各向異性磁電阻的大小與電流和磁化強度之間的角度有關。通過材料的電流方向和外加磁場方向垂直（成90°）時，電阻小；當電流與外加磁場方向平行（成0°或180°）時，電阻較大。
利用效應製備的計算機硬碟讀頭產生的訊號要比傳統感應線圈式的讀頭產生
的訊號大，因而曾經被廣泛應用在硬碟讀頭及磁性感測器中。
3、巨磁電阻（GMR）：多層膜中的巨磁電阻首次發現於2023年，是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在巨大變化的現象。巨磁阻是一種量子力學效應，它產生於層狀的磁性薄膜結構，典型的自旋閥結構是鐵磁層/非磁性金屬（Cu）/鐵磁層的三明治結構。
在磁性材料中，如果電子自旋和磁化方向反平行，電子自旋散射作用強，反之，電子自旋和磁化方向相平行時電子自旋散射作用弱，這是由鐵磁性材料中費公尺能級的自旋態密度的不對稱性所導致的。假設鐵磁層與反鐵磁層之間的稱合是反鐵磁顆合，多層膜的電阻在無外磁場情況下有最大值（如圖所示），材料處於高阻態；隨著外磁場的增大，磁矩趨近於沿著外磁場的方向排列，多層膜的磁阻有較小的值，即處於低阻態。
4、隧道磁電阻（TMR）：2023年，Julliere首次在磁性層絕緣層磁性層結構的多層膜中發現了電子自旋隧穿效應，發現當兩磁性層之間的絕緣層足夠薄時，電子能夠隧穿磁隧道結（MJT）。磁隧道電阻是基於磁隧道結MTJs在外磁場的控制下電阻的切換。
磁隧道結MTJs是指在兩塊鐵磁薄片之間夾一層厚度約為0.1nm的極薄絕緣層，構成三明治結構元件。兩個鐵磁薄片乙個為釘扎層，磁疇的方向比較難以改變，另外一側的鐵磁薄皮為自由層，一般自有層的矯頑力較小，在外加磁場的作用下容易發生方向翻轉，其結構如下圖所示
當釘扎層的磁疇方向以外磁場方向一致時，由於自由層的磁疇方向以外磁場一致，此時電流從釘扎層通過氧化層再到自由層的隧道電流最大；當釘扎層的磁疇方向以外磁場方向不一致時，釘扎層的磁疇方向與自由層的磁疇方向相反，此時電流通過就很難通過自由層，展現出很大的隧道磁電阻，
磁阻材料有很多，在這裡就給樓主介紹這幾種常用的，現在磁阻效應比較好的是磁隧道磁阻效應，一般可以達到百分之幾百，甚至上千，其次是巨磁阻效應，然後再是各向異性磁阻。磁阻效應能學習的很多，期待與樓主的交流。
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